Samsung Electronics-Aktien stiegen am Dienstag deutlich, nachdem neue Signale von Nvidia die Erwartungen an eine Wende im Chipfertigungsgeschäft verstärkt hatten.
Die Aktie kletterte im frühen Handel zeitweise um bis zu 5%, nachdem Nvidia-Chef Jensen Huang bestätigt hatte, dass Samsung neue Chips für künstliche Intelligenz produziert.
Das Update lenkte die Aufmerksamkeit wieder auf Samsungs Foundry-Sparte, die mit hohen Verlusten zu kämpfen hatte.
Gleichzeitig nutzte das Unternehmen Nvidias GTC-Konferenz in Kalifornien, um neue Speichertechnologien zu präsentieren und seinen Vorstoß zur Stärkung der Position im KI-Halbleitermarkt zu unterstreichen.
Nvidia-Schub treibt Samsung-Aktie
Die Anlegerstimmung verbesserte sich nach den Äußerungen auf Nvidias GTC-Entwicklerkonferenz am Montag.
Jensen Huang sagte, Samsung stelle den Groq LP30 AI-Inferenzprozessor her, und fügte hinzu, dass die Produktion bereits läuft und Lieferungen in der zweiten Jahreshälfte erwartet werden.
Samsung zeigte zudem Nvidia-Chips, die mit seinem 4-Nanometer-Verfahren gefertigt wurden, was Fortschritte in der fortgeschrittenen Chipfertigung signalisiert.
Die Entwicklung nährte die Erwartungen, dass das Auftragsfertigungsgeschäft sich nach Jahren von Verlusten stabilisieren könnte.
Die Aktie erreichte kurzzeitig 198.000 Won, bevor sie sich auf 196.800 Won beruhigte, immer noch ein Plus von 4,3 %. Auch der breitere Markt legte zu und stieg um 2,7 %.
Erholung der Foundry-Sparte
Die Foundry-Sparte stand unter Druck wegen schwacher Auslastung und starker Konkurrenz. Steigende Nachfrage nach KI-Chips schafft jedoch neue Chancen.
Analysten erwarten, dass das Geschäft nächstes Jahr die Gewinnschwelle erreichen könnte, sofern KI-bezogene Aufträge weiter zunehmen.
Die Partnerschaft mit Nvidia gilt als wichtiger Schritt zur besseren Auslastung der Kapazitäten und zur Wiederherstellung der Profitabilität.
Die schwache Nachfrage nach Smartphones, teilweise verursacht durch höhere Speicherpreise, könnte die Ergebnisse kurzfristig weiter belasten.
KI-Speicher-Offensive
Samsung hob auf der GTC-Veranstaltung auch seine Fortschritte im Bereich Hochleistungsspeicher hervor.
Das Unternehmen stellte HBM4E vor, seine nächste Generation von High-Bandwidth Memory, kurz nachdem die Massenproduktion von HBM4 begonnen hatte.
Der neue Chip erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 16 Gigabit pro Sekunde pro Pin, mehr als 20 % schneller als sein Vorgänger.
Die Gesamtdatenrate erreicht 4,0 Terabyte pro Sekunde, gegenüber 3,3 Terabyte bei HBM4.
Diese Verbesserungen sind für KI-Systeme wichtig, da schnellerer Speicher die schnellere Verarbeitung großer Datensätze ermöglicht.
Samsung plant, Musterexemplare in der zweiten Jahreshälfte dieses Jahres zu liefern.
Technik und Partnerschaften
Neben Geschwindigkeitsgewinnen skizzierte Samsung Verbesserungen in Fertigung und Chip-Paketierung.
HBM4E kombiniert einen DRAM-Prozess der sechsten Generation in der 10-Nanometer-Klasse mit 4-Nanometer-Foundry-Technologie für das Basis-Die.
Das Unternehmen stellte außerdem hybrides Copper-Bonding vor, das den thermischen Widerstand um rund 20 Prozent reduziert und das Stapeln von 16 oder mehr Lagen ermöglicht.
Samsung nutzte die Veranstaltung, um die Beziehungen zu Nvidia zu stärken, indem es Produkte präsentierte, die auf kommende Plattformen abgestimmt sind, darunter Speicher für GPUs der nächsten Generation und Serversysteme.
Berichten zufolge wird erwartet, dass Advanced Micro Devices-Chefin Lisa Su den Samsung-Vorsitzenden Jay Y. Lee in Südkorea trifft; im Fokus steht eine mögliche Zusammenarbeit im Halbleiterbereich.
Wettbewerb nimmt zu
Der Markt für KI-Halbleiter wird wettbewerbsintensiver, da die Nachfrage nach Rechenzentrumsinfrastruktur steigt.
Konkurrenten wie SK hynix und Micron bauen ebenfalls ihr High-Bandwidth-Memory-Angebot aus.
Die jüngsten Ankündigungen Samsungs deuten darauf hin, dass das Unternehmen seine Position im Speicherbereich und in der Auftragsfertigung stärken will.
Die Kombination aus neuer AI-Chip-Produktion und fortschrittlicher Speicherentwicklung trägt dazu bei, die Erwartungen an Samsungs Halbleiterstrategie zu verändern.
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