Der heiß laufende Roundhill Memory ETF (DRAM) läuft auf vollen Touren angesichts der steigenden Nachfrage nach seinen Komponenten. Er sprang diese Woche auf ein Rekordhoch von $62, das sind 120% über seinem Allzeittief. Dieser Anstieg zusammen mit kräftigen Mittelzuflüssen hat das verwaltete Vermögen (AUM) auf $12.18 billion gebracht und macht ihn zum bislang am schnellsten wachsenden ETF.
DRAM-ETF profitiert von der robusten Nachfrage nach Speicherchips
Der Roundhill Memory ETF entwickelt sich in diesem Jahr gut, gestützt durch die anhaltende Nachfrage nach Speicher im Zuge des KI‑Booms, der zu einem globalen Engpass geführt hat. Dieser Engpass hat in der Branche zu starkem Umsatzwachstum und verbesserter Profitabilität geführt.
Besonders auffällig ist, dass Analysten davon ausgehen, dass der Engpass noch einige Zeit andauern wird, da die Unternehmen kurzfristig nicht in der Lage sind, die Produktion schnell hochzufahren.
Die jüngsten Ergebnisse zeigen, dass die Unternehmen im DRAM-ETF einen Umsatzzuwachs verzeichnen. So teilte SK Hynix aus Südkorea mit, dass der Umsatz um 60% QoQ und 198% YoY auf 52 trillion KRW ($37.8 billion) gestiegen ist.
Auch die Bilanz verbesserte sich: Die liquiden Mittel stiegen in Q1’25 von KRW 14.3 trillion auf KRW 54.3 trillion, während die Verschuldung von KRW 23.3 trillion auf KRW 19.32 trillion sank.
Ähnliches gilt für Samsung Electronics: Der Umsatz stieg um das fast 50‑fache, während der operative Gewinn der Chip-Sparte von KRW 1.1 trillion im Vorjahreszeitraum auf KRW 53.7 trillion ($36.15 billion) anstieg.
Weitere Unternehmen im ETF wie Micron, Sandisk, Seagate und Western Digital veröffentlichten ebenfalls starke Zahlen, und dieser Trend dürfte anhalten. So erwarten Analysten, dass Sandisk in diesem Jahr den Umsatz um 165% auf $20 billion steigern wird, gefolgt von $42 billion im nächsten Jahr.
In ähnlicher Weise gehen Analysten davon aus, dass der Umsatz von Micron in diesem Jahr um 193% auf $109 billion steigen wird und im nächsten Jahr $173 billion erreichen könnte. Für Seagate werden in den nächsten beiden Geschäftsjahren $12 billion bzw. $16 billion erwartet.
SK Hynix, Micron und Samsung bergen ein erhebliches Risiko
Der DRAM-ETF steht vor erheblichen Risiken. Eines davon ist, dass er zu schnell gestiegen ist. In den meisten Fällen sind solche starken Anstiege anfällig für Rücksetzer. Technisch gesehen treten diese Korrekturen in der Regel auf, weil die Assets stark überkauft sind.
Konzentration ist das Hauptrisiko, da die drei größten Unternehmen 77.7% des Fonds ausmachen. SK Hynix entfällt auf 29.9%, während Micron und Samsung 28% bzw. 19.7% des Fonds ausmachen.
Diese Konzentration bedeutet, dass die DRAM‑Notierungen so lange positiv bleiben dürften, wie die drei Konzerne florieren. Das Risiko besteht jedoch darin, dass ein größeres Problem bei einem der drei Unternehmen den Fonds deutlich nach unten ziehen kann. Ein potenzielles Risiko sind die Zahlen: Obwohl starke Zuwächse erwartet werden, kann ein verfehltes Ergebnis oder eine enttäuschende Prognose eine kräftige Kursumkehr auslösen.
Diese Konzentration ist enorm. Zum Beispiel entfallen auf die zehn größten Unternehmen im Nasdaq‑100‑Index 46% seines Werts. Ebenso machen die zehn größten im S&P‑500‑Index 38% aus.
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